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HUF75852G3

更新时间： 2024-09-15 22:48:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
10页 194K
描述
75A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET

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HUF75852G3 数据手册

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HUF75852G3  
Data Sheet  
December 2001  
75A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel,  
UltraFET® Power MOSFET  
Packaging  
JEDEC TO-247  
Features  
SOURCE  
DRAIN  
• Ultra Low On-Resistance  
- r = 0.016Ω, VGS = 10V  
GATE  
DS(ON)  
• Simulation Models  
- Temperature Compensated PSPICE® and SABER™  
Electrical Models  
- Spice and SABER Thermal Impedance Models  
- www.fairchildsemi.com  
DRAIN  
(TAB)  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
Symbol  
Ordering Information  
D
S
PART NUMBER  
PACKAGE  
BRAND  
75852G  
HUF75852G3  
TO-247  
G
o
Absolute Maximum Ratings T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HUF75852G3  
UNITS  
Drain to Source Voltage (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
150  
150  
±20  
V
V
V
DSS  
Drain to Gate Voltage (R  
= 20kΩ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
DGR  
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
Drain Current  
o
Continuous (T = 25 C, V  
C
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
75  
75  
A
A
GS  
D
D
o
Continuous (T = 100 C, V  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
C
GS  
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
Figure 4  
DM  
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . UIS  
Figures 6, 14, 15  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Derate Above 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
500  
3.33  
W
W/ C  
D
o
o
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
J
-55 to 175  
C
STG  
Maximum Temperature for Soldering  
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
Package Body for 10s, See Techbrief TB334. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
o
300  
260  
C
C
L
o
pkg  
NOTE:  
1. T = 25 C to 150 C.  
o
o
J
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
Product reliability information can be found at http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html  
For severe environments, see our Automotive HUFA series.  
All Fairchild semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems certification.  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HUF75852G3 Rev. B  
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HUF75852G3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HUFA75852G3 FAIRCHILD

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