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HUF76013D3ST_NL

更新时间： 2024-11-25 19:56:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 192K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252AA, 3 PIN

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HUF76013D3ST_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：TO-252AA, 3 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.16
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

HUF76013D3ST_NL 数据手册

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HUF76013P3, HUF76013D3S  
Data Sheet  
October 2004  
20A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel, Logic  
Level Power MOSFETs  
The HUF76013 is an application-specific MOSFET  
optimized for switching when used as the upper switch in  
synchronous buck applications. The low gate charge and low  
input capacitance results in lower driver and lower switching  
losses thereby increasing the overall system efficiency.  
Features  
• 20A, 20V  
- r  
- r  
= 0.022Ω, V = 10V  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
= 0.030Ω, V = 5V  
Symbol  
GS  
D
• PWM Optimized for Synchronous Buck Applications  
• Fast Switching  
G
• Low Gate Charge  
- Q Total 14nC (Typ)  
g
S
• Low Capacitance  
- C  
- C  
624pF (Typ)  
ISS  
Packaging  
71pF (Typ)  
RSS  
HUF76013D3S  
HUF76013P3  
JEDEC TO-252AA  
JEDEC TO-220AB  
Ordering Information  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
DRAIN (FLANGE)  
PART NUMBER  
PACKAGE  
BRAND  
76013P  
76013D  
GATE  
SOURCE  
HUF76013P3  
TO-220AB  
TO-252AA  
HUF76013D3S  
DRAIN  
(FLANGE)  
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T to  
obtain the HUF76013D3S in tape and reel, e.g., HUF76013D3ST.  
o
Absolute Maximum Ratings  
T
= 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HUF76013P3,  
SYMBOL  
PARAMETER  
HUF76013D3S  
UNITS  
V
Drain to Source Voltage (Note 1)  
20  
20  
V
V
V
DSS  
V
Drain to Gate Voltage (R = 20kΩ) (Note 1)  
GS  
DGR  
V
Gate to Source Voltage  
±20  
GS  
Drain Current  
o
I
I
Continuous (T = 25 C, V  
= 10V) (Figure 2)  
GS  
20  
20  
Figure 4  
A
A
A
D
D
C
o
Continuous (T = 100 C, V  
= 5V)  
C
GS  
I
Pulsed Drain Current  
Power Dissipation  
DM  
P
50  
0.4  
W
D
o
o
Derate Above 25 C  
W/ C  
o
T , T  
STG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 150  
C
J
Maximum Temperature for Soldering  
o
T
T
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s  
Package Body for 10s, See Techbrief TB334  
300  
260  
C
C
L
o
pkg  
THERMAL SPECIFICATIONS  
o
R
R
Thermal Resistance Junction to Case, TO-220, TO-252  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252  
2.5  
62  
C/W  
θJC  
o
C/W  
θJA  
o
100  
C/W  
NOTE:  
1. T = 25 C to 125 C.  
o
o
J
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
HUF76013P3, HUF76013D3S Rev. C  
1234567...10

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HUF76013D3ST_NL 替代型号

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