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HUF76107D3ST_NL

更新时间： 2024-11-25 19:18:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 242K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252AA, 3 PIN

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HUF76107D3ST_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.15外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.08 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

HUF76107D3ST_NL 数据手册

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HUF76107D3, HUF76107D3S  
Data Sheet  
December 2001  
20A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic  
Level UltraFET Power MOSFETs  
Features  
• Logic Level Gate Drive  
These N-Channel power  
MOSFETs are manufactured using  
the innovative UltraFET™ process.  
• 20A, 30V  
• Ultra Low On-Resistance, r  
= 0.052Ω  
DS(ON)  
®
This advanced process technology  
• Temperature Compensating PSPICE Model  
achieves the lowest possible on-resistance per silicon area,  
resulting in outstanding performance. This device is  
capable of withstanding high energy in the avalanche mode  
and the diode exhibits very low reverse recovery time and  
stored charge. It was designed for use in applications  
where power efficiency is important, such as switching  
regulators, switching converters, motor drivers, relay  
drivers, low voltage bus switches, and power management  
in portable and battery operated products.  
©
• Temperature Compensating SABER Model  
• Thermal Impedance SPICE Model  
• Thermal Impedance SABER Model  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
• Related Literature  
- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount  
Components to PC Boards”  
Formerly developmental type TA76107.  
Ordering Information  
Symbol  
PART NUMBER  
PACKAGE  
TO-251AA  
TO-252AA  
BRAND  
76107D  
76107D  
D
HUF76107D3  
HUF76107D3S  
G
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T to  
obtain the TO-252AA variant in tape and reel, e.g., HUF76107D3ST.  
S
Packaging  
JEDEC TO-251AA  
JEDEC TO-252AA  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
DRAIN  
(FLANGE)  
DRAIN  
(FLANGE)  
GATE  
SOURCE  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HUF76107D3, HUF76107D3S Rev. B  
1234567...11

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HUF76107D3ST_NL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HUF76107D3ST FAIRCHILD

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
HUF76107D3S FAIRCHILD

功能相似

 20A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs

与HUF76107D3ST_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HUF76107P3 INTERSIL

获取价格

 		20A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
HUF76107P3 FAIRCHILD

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 		20A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
HUF76112SK8 INTERSIL

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 		7.5A, 30V, 0.026 Ohm, N-Channel, Logic Level Power MOSFET
HUF76112SK8T ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | SO
HUF76113DK8 INTERSIL

获取价格

 		6A, 30V, 0.032 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUF76113DK8 FAIRCHILD

获取价格

 		6A, 30V, 0.032 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUF76113DK8T ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 6A I(D) | SO
HUF76113SK8 FAIRCHILD

获取价格

 		6.5A, 30V, 0.030 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUF76113SK8 INTERSIL

获取价格

 		6.5A, 30V, 0.030 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUF76113SK8T INTERSIL

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | SO

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