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HUF76121P3

更新时间： 2024-11-24 22:34:23

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
11页	278K
描述
47A, 30V, 0.021 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs

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HUF76121P3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.3
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	47 A
最大漏极电流 (ID)：	47 A	最大漏源导通电阻：	0.028 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

HUF76121P3 数据手册

HUF76121P3, HUF76121S3S

Data Sheet

January 2003

47A, 30V, 0.021 Ohm, N-Channel, Logic

Level UltraFET Power MOSFETs

Features

• Logic Level Gate Drive

• 47A, 30V

These N-Channel power MOSFETs

are manufactured using the

• Ultra Low On-Resistance, r

= 0.021Ω

innovative UltraFET™ process.

DS(ON)

This advanced process technology

• Temperature Compensating PSPICE Model

achieves the lowest possible on-resistance per silicon area,

resulting in outstanding performance. This device is capable

of withstanding high energy in the avalanche mode and the

diode exhibits very low reverse recovery time and stored

charge. It was designed for use in applications where power

efficiency is important, such as switching regulators,

switching converters, motor drivers, relay drivers, low-

voltage bus switches, and power management in portable

and battery-operated products.

• Temperature Compensating SABER Model

• Thermal Impedance SPICE Model

• Thermal Impedance SABER Model

• Peak Current vs Pulse Width Curve

• UIS Rating Curve

• Related Literature

- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Formerly developmental type TA76121.

Ordering Information

Symbol

PART NUMBER

PACKAGE

TO-220AB

TO-263AB

BRAND

76121P

76121S

HUF76121P3

HUF76121S3S

NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T to

obtain the TO-263AB variant in tape and reel, e.g., HUF76121S3ST.

Packaging

JEDEC TO-220AB

JEDEC TO-263AB

SOURCE

DRAIN

GATE

DRAIN

(FLANGE)

DRAIN

(FLANGE)

GATE

SOURCE

HUF76121P3, HUF76121S3S Rev. C1

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HUF76121P3_NL	ROCHESTER	获取价格	47A, 30V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
HUF76121S3S	FAIRCHILD	获取价格	47A, 30V, 0.021 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
HUF76121S3S	INTERSIL	获取价格	47A, 30V, 0.021 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
HUF76121S3S	ROCHESTER	获取价格	47A, 30V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263AB, 3 PIN
HUF76121S3ST	FAIRCHILD	获取价格	47A, 30V, 0.021 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
HUF76121S3ST	ROCHESTER	获取价格	47A, 30V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263AB, 3 PIN
HUF76121SK8	INTERSIL	获取价格	8A, 30V, 0.023 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUF76121SK8T	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| SO
HUF76129D3	FAIRCHILD	获取价格	20A, 30V, 0.016 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
HUF76129D3	INTERSIL	获取价格	20A, 30V, 0.016 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs

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