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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> HUF76009D3ST
HUF76009D3ST PDF预览

HUF76009D3ST

更新时间： 2024-11-20 23:56:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
12页 252K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA

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HUF76009D3ST 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：TO-252AA, 3 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.23
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.039 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：41 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

HUF76009D3ST 数据手册

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HUF76009P3, HUF76009D3S  
Data Sheet  
December 2001  
20A, 20V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic  
Level Power MOSFETs  
THE HUF76009 is an application-specific MOSFET  
optimized for switching when used as the upper switch in  
synchronous buck applications. The low gate charge and low  
input capacitance results in lower driver and lower switching  
losses thereby increasing the overall system efficiency.  
Features  
• 20A, 20V  
- r  
- r  
= 0.027Ω, VGS = 10V  
= 0.039Ω, VGS = 5V  
DS(ON)  
DS(ON)  
Symbol  
D
• PWM optimized for synchronous buck applications  
• Fast Switching  
G
• Low Gate Charge  
- Q Total 11nC (Typ)  
g
S
• Low Capacitance  
- C  
- C  
470pF (Typ)  
ISS  
Packaging  
50pF (Typ)  
RSS  
HUF76009D3S  
HUFD76009P3  
JEDEC TO-252AA  
JEDEC TO-220AB  
Ordering Information  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
DRAIN (FLANGE)  
PART NUMBER  
PACKAGE  
BRAND  
76009P  
76009D  
HUF76009P3  
TO-220AB  
TO-252AA  
GATE  
SOURCE  
HUF76009D3S  
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T to  
obtain the HUF76009D3S in tape and reel, e.g., HUF76009D3ST.  
DRAIN  
(FLANGE)  
o
Absolute Maximum Ratings  
T
= 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HUF76009P3,  
SYMBOL  
PARAMETER  
HUF76009D3S  
UNITS  
V
Drain to Source Voltage (Note 1)  
20  
20  
V
V
V
DSS  
V
Drain to Gate Voltage (R = 20kΩ) (Note 1)  
GS  
DGR  
V
Gate to Source Voltage  
±16  
GS  
Drain Current  
o
I
I
Continuous (T = 25 C, V  
= 10V) (Figure 2)  
GS  
20  
16  
Figure 4  
A
A
A
D
D
C
o
Continuous (T = 100 C, V  
= 5V)  
C
GS  
I
Pulsed Drain Current  
Power Dissipation  
DM  
P
41  
0.33  
W
D
o
o
Derate Above 25 C  
W/ C  
o
T , T  
STG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 150  
C
J
Maximum Temperature for Soldering  
o
T
T
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s  
Package Body for 10s, See Techbrief TB334  
300  
260  
C
C
L
o
pkg  
THERMAL SPECIFICATIONS  
o
R
Thermal Resistance Junction to Case, TO-220, TO-252  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252  
3.04  
62  
C/W  
θJC  
θJA  
o
R
C/W  
o
100  
C/W  
NOTE:  
o
o
1. T = 25 C to 125 C.  
J
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HUF76009P3, HUF76009D3S Rev. B  
1234567...12

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HUF76009D3ST 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDD6512A FAIRCHILD

类似代替

 20V N-Channel PowerTrench MOSFET
HUF76013D3S FAIRCHILD

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 20A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel, Logic Level Power MOSFETs

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 		20A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel, Logic Level Power MOSFETs
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