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FDD6512A PDF预览

FDD6512A

更新时间： 2024-11-17 22:40:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
5页 75K
描述
20V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDD6512A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.33
雪崩能效等级（Eas）：90 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：36 A最大漏极电流 (ID)：10.7 A
最大漏源导通电阻：0.021 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：43 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD6512A 数据手册

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November 2001  
FDD6512A/FDU6512A  
20V N-Channel PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
low gate charge, low RDS( ON) , fast switching speed and  
extremely low RDS(ON) in a small package.  
·
36 A, 20 V  
RDS(ON) = 21 mW @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 31 mW @ VGS = 2.5 V  
·
·
·
Low gate charge (12 nC typical)  
Fast switching  
Applications  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
·
·
DC/DC converter  
Motor drives  
D
D
G
S
I-PAK  
(TO-251AA)  
G
D-PAK  
(TO-252)  
G D S  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
20  
± 12  
36  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current @TC=25°C  
@TA=25°C  
ID  
(Note 3)  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
(Note 3)  
10.7  
100  
Pulsed  
PD  
W
Power Dissipation  
@TC=25°C  
@TA=25°C  
@TA=25°C  
43  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
3.8  
1.6  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +175  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
3.5  
40  
96  
RqJC  
RqJA  
RqJA  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13’’  
Tape width  
Quantity  
FDD6512A  
FDD6512A  
FDU6512A  
D-PAK (TO-252)  
I-PAK (TO-251)  
12mm  
N/A  
2500 units  
75  
FDU6512A  
Tube  
FDD6512A/FDU6512A Rev B (W)  
Ó2001 Fairchild Semiconductor Corp.  
12345

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FDD6512A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HUF76009D3ST FAIRCHILD

类似代替

 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA
HUF76013D3S FAIRCHILD

类似代替

 20A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel, Logic Level Power MOSFETs

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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