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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | DPAK |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.3 |
| Samacsys Confidence： | 4 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 2449838 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (P-Channel) | Samacsys Package Category： | Other |
| Samacsys Footprint Name： | DPAK3 (TO?252 3 LD) CASE 369AS ISSUE O_3 | Samacsys Released Date： | 2019-08-31 09:31:56 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 61 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 35 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 55 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 13 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0116 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 57 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDD6637_F085 | FAIRCHILD |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 35V, 0.0116ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDD6637_06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
35V P-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDD6637_10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel PowerTrench® MOSFET -35V, -21A, 18 |
|
| FDD6637_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 35V, 0.0116ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| FDD6637-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-35V，-21A，18mΩ |
|
| FDD6644 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDD6644S | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 66A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDD6670 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET |
|
| FDD6670A | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET |
|
| FDD6670A | ROCHESTER |
获取价格 |
15A, 30V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
|
| FDD6670A | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，30V，66A，8mΩ |
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