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FDD6637_F085

更新时间： 2024-09-16 21:12:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 115K
描述
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 35V, 0.0116ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3

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FDD6637_F085 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：7.93
其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：61 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：35 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：55 A
最大漏极电流 (ID)：21 A最大漏源导通电阻：0.0116 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：57 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD6637_F085 数据手册

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August 2006  
FDD6637  
35V P-Channel PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel MOSFET has been produced using  
Fairchild Semiconductor’s proprietary PowerTrench  
technology to deliver low Rdson and optimized Bvdss  
capability to offer superior performance benefit in the  
applications.  
·
–55 A, –35 V RDS(ON) = 11.6 mW @ VGS = –10 V  
RDS(ON) = 18 mW @ VGS = –4.5 V  
·
·
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
RoHS Compliant  
Applications  
·
·
Inverter  
Power Supplies  
D
D
G
G
S
D-PAK  
S
(TO-252)  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
–35  
Units  
V
V
V
A
VDS(Avalanche)  
VGSS  
Drain-Source Avalanche Voltage (maximum)  
Gate-Source Voltage  
(Note 4)  
–40  
±25  
ID  
Continuous Drain Current @TC=25°C  
@TA=25°C  
(Note 3)  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
(Note 3)  
–55  
–13  
Pulsed  
–100  
57  
PD  
W
Power Dissipation  
@TC=25°C  
@TA=25°C  
@TA=25°C  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
3.1  
1.3  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.2  
40  
96  
RqJC  
RqJA  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
Tape width  
12mm  
Quantity  
FDD6637  
FDD6637  
D-PAK (TO-252)  
13’’  
2500 units  
www.fairchildsemi.com  
Ó2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD6637 Rev C2(W)  
12345678

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FDD6637_F085 替代型号

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