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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.16 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | FAST SWITCHING |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 67 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 15 A | 最大漏源导通电阻： | 0.008 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDD6670A_05 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDD6670A_NL | ROCHESTER |
获取价格 |
15A, 30V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
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| FDD6670A_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FDD6670AL | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDD6670AL_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FDD6670A-OLDDIE | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| FDD6670AS | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
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| FDD6670AS_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
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| FDD6670S | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
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| FDD6670S_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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