5秒后页面跳转
FDD6670A PDF预览

FDD6670A

更新时间: 2024-11-21 20:25:51
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 790K
描述
15A, 30V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3

FDD6670A 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-252
包装说明:DPAK-3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.16
Is Samacsys:N其他特性:FAST SWITCHING
雪崩能效等级(Eas):67 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):15 A最大漏源导通电阻:0.008 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):100 A
认证状态:COMMERCIAL表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

FDD6670A 数据手册

 浏览型号FDD6670A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDD6670A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDD6670A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDD6670A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDD6670A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDD6670A的Datasheet PDF文件第7页 

与FDD6670A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDD6670A_05 FAIRCHILD

获取价格

30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD6670A_NL ROCHESTER

获取价格

15A, 30V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
FDD6670A_NL FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDD6670AL FAIRCHILD

获取价格

30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD6670AL_NL FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDD6670A-OLDDIE FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDD6670AS FAIRCHILD

获取价格

30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDD6670AS_NL FAIRCHILD

获取价格

30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDD6670S FAIRCHILD

获取价格

30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDD6670S_NL FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met