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FDD6680

更新时间： 2024-11-17 22:19:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 122K
描述
30V N-Channel PowerTrench? MOSFET

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FDD6680 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.26
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：180 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：55 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.01 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：60 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDD6680 数据手册

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November 2004  
FDD6680 / FDU6680  
30V N-Channel PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor’s advanced PowerTrench process that  
has been especially tailored to minimize the on state  
resistance and yet maintain low gate charge for  
superior switching performance.  
·
46 A, 30 V  
RDS(ON) = 10 mW @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 15 mW @ VGS = 4.5 V  
·
·
·
Low gate charge  
Fast Switching Speed  
Applications  
·
·
DC/DC converter  
Motor Drives  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
D
D
G
S
I-PAK  
(TO-251AA)  
G
D-PAK  
(TO-252)  
G D S  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
30  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current @TC=25°C  
@TA=25°C  
±20  
ID  
(Note 3)  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
(Note 3)  
46  
12  
100  
Pulsed  
PD  
W
Power Dissipation  
@TC=25°C  
@TA=25°C  
@TA=25°C  
56  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
3.3  
1.5  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +175  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.7  
45  
96  
RqJC  
RqJA  
RqJA  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
FDD6680  
FDU6680  
Package  
Reel Size  
13’’  
Tape width  
Quantity  
FDD6680  
D-PAK (TO-252)  
I-PAK (TO-251)  
12mm  
N/A  
2500 units  
75  
FDU6680  
Tube  
FDD6680/FDU6680 Rev. C1(W)  
Ó2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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FDD6680 替代型号

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 		55A, 30V, 0.011ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3

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