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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | DPAK |
| 包装说明： | DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 3.31 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 370 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 84 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 84 A | 最大漏源导通电阻： | 0.005 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 83 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDD6688_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FDD6688S | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
|
| FDD6690 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
|
| FDD6690A | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDD6690A | ONSEMI |
获取价格 |
30V N沟道PowerTrench® MOSFET |
|
| FDD6690A_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FDD6690S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-252AA |
|
| FDD6692 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDD6692_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FDD6696 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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