是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-252 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.31 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 20 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 25 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 49 A |
最大漏极电流 (ID): | 16.5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0085 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 33 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 70 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDD6780A | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench? MOSFET 25 V, 8.6 mΩ | |
FDD6782A | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET | |
FDD6796 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 25 V, 40 A, 5.7 | |
FDD6796A | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 25 V, 5.7 mΩ | |
FDD6796A | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):25V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 | |
FDD6N20 | FAIRCHILD |
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N-Channel MOSFET | |
FDD6N20TF | FAIRCHILD |
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N-Channel MOSFET | |
FDD6N20TM | FAIRCHILD |
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N-Channel MOSFET | |
FDD6N20TM | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,200V,4.5A,800mΩ,DPAK | |
FDD6N25 | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET |