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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.68 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 270 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.5 A | 最大漏源导通电阻： | 1.15 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 89 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 22 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDD6N50FTM | FAIRCHILD |
类似代替  |
N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ |
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| FDD6N50FTM | ONSEMI |
功能相似 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，5.5 A，1. |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDD6N50FTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ |
|
| FDD6N50FTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，5.5 A，1. |
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| FDD6N50TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FDD6N50TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，6 A，900 mΩ，DPAK |
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| FDD6N50TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FDD6N50TM_10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FDD6N50TM_WS | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FDD6N50TMF085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UniFETTM MOSFET500 V, 6 A, 900 mΩ |
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| FDD6N50TM-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，MOSFET，500V，6A，0.9Ω |
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| FDD6N50TM-WS | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UniFETTM MOSFET500 V, 6 A, 900 mΩ |
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