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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 62.5 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.69 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 43 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 15 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDD7N20TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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| FDD7N20TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM， 200 V，5 A，690 mΩ，DPA |
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| FDD7N25LZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 250V, 0.57ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FDD7N25LZTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UniFET MOSFET |
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| FDD7N25LZTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，250 V，6.2A，550mΩ，DPAK |
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| FDD7N60NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| FDD7N60NZ_10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 600V, 5.5A, 1.25ï |
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| FDD7N60NZTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，600 V，5.5 A，1.25 Ω |
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| FDD7N60NZTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FDD8424H | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V |
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