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FDD7N60NZTM

更新时间： 2024-09-16 20:54:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 651K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3/2

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FDD7N60NZTM 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3/2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.7
雪崩能效等级（Eas）：347 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.5 A最大漏极电流 (ID)：5.5 A
最大漏源导通电阻：1.25 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：90 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：22 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDD7N60NZTM 数据手册

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November 2013  
FDD7N60NZ / FDU7N60NZTU  
TM  
N-Channel UniFET II MOSFET  
600 V, 5.5 A, 1.25 Ω  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
RDS(on) = 1.05 Ω (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 2.75 A  
Low Gate Charge (Typ. 13 nC)  
Low Crss (Typ. 7 pF)  
UniFETTM II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage  
MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS  
technology. This advanced MOSFET family has the smallest on-  
state resistance among the planar MOSFET, and also provides  
superior switching performance and higher avalanche energy  
strength. In addition, internal gate-source ESD diode allows  
UniFETTM II MOSFET to withstand over 2kV HBM surge stress.  
This device family is suitable for switching power converter appli-  
cations such as power factor correction (PFC), flat panel display  
(FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.  
100% Avalanche Tested  
Improved dv/dt Capability  
•
•
ESD Improved Capability  
RoHS Compliant  
Applications  
•
•
Lighting  
Uninterruptible Power Supply  
D
D
G
S
I-PAK  
G
D-PAK  
G
D
S
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted.  
FDD7N60NZTM/  
FDU7N60NZTU  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
Unit  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
600  
±25  
V
V
- Continuous (TC = 25oC)  
- Continuous (TC = 100oC)  
- Pulsed  
5.5  
ID  
Drain Current  
Drain Current  
A
3.3  
IDM  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
22  
A
mJ  
A
EAS  
IAR  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
347  
5.5  
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
12.5  
10  
mJ  
V/ns  
W
W/oC  
oC  
Peak Diode Recovery dv/dt  
(TC = 25oC)  
- Derate Above 25oC  
Operating and Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temperature for Soldering, 1/8” from Case for 5 Seconds  
90  
PD  
Power Dissipation  
0.7  
TJ, TSTG  
TL  
-55 to +150  
300  
oC  
Thermal Characteristics  
FDD7N60NZTM/  
FDU7N60NZTU  
Symbol  
Parameter  
Unit  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max.  
1.4  
90  
oC/W  
www.fairchildsemi.com  
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD7N60NZ / FDU7N60NZTU Rev. C1  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDD8424H ONSEMI

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 		双 N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V
FDD8424H FAIRCHILD

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 		40V Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET. (Transferred to alternate site
FDD8424H_F085A_13 FAIRCHILD

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 		40V N沟道PowerTrench® MOSFET
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 		N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 40V, 50A, 5.2mз

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