是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.73 | 湿度敏感等级: | 1 |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDD7N60NZ_10 | FAIRCHILD |
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N-Channel MOSFET 600V, 5.5A, 1.25ï | |
FDD7N60NZTM | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM II,600 V,5.5 A,1.25 Ω | |
FDD7N60NZTM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDD8424H | ONSEMI |
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双 N 和 P 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V | |
FDD8424H | FAIRCHILD |
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Dual N & P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET | |
FDD8424H_11 | FAIRCHILD |
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Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET N-Cha | |
FDD8424H_F085 | FAIRCHILD |
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40V Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET. (Transferred to alternate site | |
FDD8424H_F085A_13 | FAIRCHILD |
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Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET N-Cha | |
FDD8424H-F085A | ONSEMI |
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40 V/-40 V、26/-20 A、24/54 mΩ、DPAK(4 引脚)N 沟道和 | |
FDD8426H | FAIRCHILD |
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Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET N-Chan |