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FDD7N60NZ

更新时间： 2024-11-18 21:10:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 350K
描述
Power Field-Effect Transistor

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FDD7N60NZ 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.73湿度敏感等级：1
峰值回流温度（摄氏度）：260处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

FDD7N60NZ 数据手册

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March 2013  
FDD7N60NZ / FDU7N60NZ  
TM  
N-Channel UniFET II MOSFET  
600 V, 5.5 A, 1.25  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
RDS(on) = 1.05 (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 2.75 A  
Low Gate Charge (Typ. 13 nC)  
Low Crss (Typ. 7 pF)  
UniFETTM II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s high voltage  
MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS tech-  
nology. This advanced MOSFET family has the smallest on-state  
resistance among the planar MOSFET, and also provides superior  
switching performance and higher avalanche energy strength. In  
addition, internal gate-source ESD diode allows UniFETTM II MOS-  
FET to withstand over 2kV HBM surge stress. This device family is  
suitable for switching power converter applications such as power  
factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX  
and electronic lamp ballasts.  
100% Avalanche Tested  
Improved dv/dt Capability  
•
•
ESD Improved Capability  
RoHS Compliant  
Applications  
•
•
Lighting  
Uninterruptible Power Supply  
D
D
G
G
G
D
I-PAK  
D-PAK  
S
S
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted*  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
FDD7N60NZ/FDU7N60NZ  
Unit  
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
600  
±25  
V
- Continuous (TC = 25oC)  
- Continuous (TC = 100oC)  
- Pulsed  
5.5  
ID  
Drain Current  
A
3.3  
IDM  
Drain Current  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
22  
A
mJ  
A
EAS  
IAR  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
347  
5.5  
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
12.5  
10  
mJ  
V/ns  
W
W/oC  
oC  
(TC = 25oC)  
- Derate above 25oC  
90  
PD  
Power Dissipation  
0.7  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
300  
oC  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Unit  
FDD7N60NZ/FDU7N60NZ  
RJC  
RJA  
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max.  
1.4  
90  
oC/W  
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD7N60NZ / FDU7N60NZ Rev. C0  
1
www.fairchildsemi.com  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDD7N60NZ_10 FAIRCHILD

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 		N-Channel MOSFET 600V, 5.5A, 1.25
FDD7N60NZTM ONSEMI

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 		功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，600 V，5.5 A，1.25 Ω
FDD7N60NZTM FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDD8424H ONSEMI

获取价格

 		双 N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V
FDD8424H FAIRCHILD

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 		Dual N & P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDD8424H_11 FAIRCHILD

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 		Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET N-Cha
FDD8424H_F085 FAIRCHILD

获取价格

 		40V Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET. (Transferred to alternate site
FDD8424H_F085A_13 FAIRCHILD

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 		Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET N-Cha
FDD8424H-F085A ONSEMI

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 		40 V/-40 V、26/-20 A、24/54 mΩ、DPAK（4 引脚）N 沟道和
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 		Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET N-Chan

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