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FDD8444

更新时间: 2024-11-06 04:18:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
7页 312K
描述
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 40V, 50A, 5.2mз

FDD8444 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred零件包装代码:DPAK
包装说明:ROHS COMPLIANT, TO-252, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.29
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):535 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V最大漏极电流 (Abs) (ID):17.5 A
最大漏极电流 (ID):155 A最大漏源导通电阻:5.2 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252AA
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):227 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

FDD8444 数据手册

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November 2006  
FDD8444  
tm  
®
N-Channel PowerTrench MOSFET  
40V, 50A, 5.2mΩ  
Features  
Applications  
„ Automotive Engine Control  
„ Powertrain Management  
„ Solenoid and Motor Drivers  
„ Electronic Transmission  
„ Typ rDS(on) = 4mat VGS = 10V, ID = 50A  
„ Typ Qg(10) = 89nC at VGS = 10V  
„ Low Miller Charge  
„ Low Qrr Body Diode  
„ Distributed Power Architecture and VRMs  
„ Primary Switch for 12V Systems  
„ UIS Capability (Single Pulse/ Repetitive Pulse)  
„ Qualified to AEC Q101  
„ RoHS Compliant  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
1
www.fairchildsemi.com  
FDD8444 Rev B (W)  

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