是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | DPAK |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, TO-252, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.29 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 535 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 17.5 A |
最大漏极电流 (ID): | 155 A | 最大漏源导通电阻: | 5.2 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 227 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BUK625R0-40C,118 | NXP |
功能相似 |
N-channel TrenchMOS intermediate level FET DPAK 3-Pin | |
BUK7208-40B,118 | NXP |
功能相似 |
BUK7208-40B - N-channel TrenchMOS standard level FET DPAK 3-Pin |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDD8444_06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 40V, 50A, 5.2mз | |
FDD8444_10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 50A, 5.2m | |
FDD8444_F085 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDD8444-F085 | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® 40V, 50A, 5.2mΩ | |
FDD8444-F085P | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® 40V, 50A, 5.2mΩ | |
FDD8444L | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET | |
FDD8444L_F085_09 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 50A, 6.0m | |
FDD8444LF085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET | |
FDD8444L-F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET | |
FDD8444L-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
40 V、50 A、3.8 mΩ、l DPAKN 沟道 PowerTrench® |