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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDD8426H
FDD8426H PDF预览

FDD8426H

更新时间： 2024-09-16 06:59:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
11页 468K
描述
Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET N-Channel: 40 V, 12 A, 12 mΩ P-Channel: -40 V, -10 A, 17 mΩ

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FDD8426H 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DPAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4针数：5
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.81
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：112 mJ
外壳连接：DRAIN配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：56 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.012 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G4
元件数量：2端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：65 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：NOT SPECIFIED端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD8426H 数据手册

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September 2009  
FDD8426H  
Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET  
N-Channel: 40 V, 12 A, 12 mΩ P-Channel: -40 V, -10 A, 17 mΩ  
Features  
General Description  
Q1: N-Channel  
These dual N and P-Channel enhancement mode Power  
MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s  
advanced PowerTrench® process that has been especially  
tailored to minimize on-state resistance and yet maintain  
superior switching performance.  
„ Max rDS(on) = 12 mΩ at VGS = 10 V, ID = 12 A  
„ Max rDS(on) = 15 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 11 A  
Q2: P-Channel  
„ Max rDS(on) = 17 mΩ at VGS = -10 V, ID = -10 A  
Applications  
„ Max rDS(on) = 27 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -8.3 A  
„ 100% UIL Tested  
„ Inverter  
„ H-Bridge  
„ RoHS Compliant  
D1  
D2  
D1/D2  
G1  
G2  
G2  
S2  
G1  
S1  
S1  
N-Channel  
S2  
P-Channel  
Dual DPAK 4L  
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Q1  
40  
Q2  
-40  
±20  
-17  
-48  
-10  
-40  
65  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
±20  
17  
Drain Current - Continuous (Package Limited)  
- Continuous (Silicon Limited)  
- Continuous  
T
C = 25°C  
56  
ID  
A
TA = 25°C  
12  
- Pulsed  
40  
Power Dissipation for Single Operation  
TC = 25°C (Note 1)  
TA = 25°C (Note 1a)  
TA = 25°C (Note 1b)  
(Note 3)  
56  
PD  
3.1  
1.3  
112  
W
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
162  
mJ  
°C  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
Thermal Characteristics  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction to Case, Single Operation for Q1  
Thermal Resistance, Junction to Case, Single Operation for Q2  
(Note 1)  
(Note 1)  
1.4  
1.4  
°C/W  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13”  
Tape Width  
Quantity  
2500units  
FDD8426H  
FDD8426H  
TO-252-4L  
12mm  
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD8426H Rev.C  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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