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FDD8447L_F085

更新时间： 2024-11-21 14:50:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 414K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3

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FDD8447L_F085 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.87
雪崩能效等级（Eas）：40 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.0085 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：65 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDD8447L_F085 数据手册

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February 2009  
FDD8447L_F085  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
40V, 50A, 11.0mΩ  
Applications  
Features  
„ Typ rDS(on) = 7.0mΩ at VGS = 10V, ID = 14A  
„ Inverter  
„ Typ rDS(on) = 8.5mΩ at VGS = 4.5V, ID = 11A  
„ Power Supplies  
„ Fast Switching  
„ Automotive Engine Control  
„ Power Train Management  
„ Solenoid and Motor Drivers  
„ Electronic Transmission  
„ Qualified to AEC Q101  
„ RoHS Compliant  
„ Primary Switch for 12V and 24V Systems  
D
D
G
S
G
D-PAK  
(TO-252)  
S
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD8447L_F085 Rev. A1  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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