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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.34 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 66 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 35 A | 最大漏极电流 (ID)： | 35 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.009 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 49.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 153 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDD8586 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 5.5mOHM |
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| FDD8586 | ROCHESTER |
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35A, 20V, 0.0055ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
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| FDD8586 | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:25V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| FDD86067-F085 | ONSEMI |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 94A, 5.7 |
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| FDD86069-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 51 A, 10 |
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| FDD86080-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 33 A, 17 |
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| FDD86081-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 21 A, 31 |
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| FDD86102 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 36 A, 2 |
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| FDD86102 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，36 A，24 m |
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| FDD86102LZ | DIODES |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 35 A, 2 |
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