是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 1.51 | 雪崩能效等级(Eas): | 14 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 80 V | 最大漏极电流 (ID): | 25 A |
最大漏源导通电阻: | 0.021 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
参考标准: | AEC-Q101 | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDD8647L | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 40 V, 42 A, 9 m | |
FDD8647L | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,42A,9mΩ | |
FDD86540 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 50 A, 4. | |
FDD86540 | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60V,136 A,4.1 mΩ | |
FDD86567-F085 | ONSEMI |
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60 V、100 A、2.6 mΩ、DPAKN 沟道 PowerTrench® | |
FDD86569 | ONSEMI |
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Power Field-Effect Transistor | |
FDD86569-F085 | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60 V,90 A,5.7 mΩ | |
FDD86580-F085 | ONSEMI |
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60 V N 沟道 PowerTrench® MOSFET | |
FDD86581-F085 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60 V,25 A,15 mΩ | |
FDD8750 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 2.7A, 40mohm |