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FDD86381-F085

更新时间： 2024-01-13 05:29:01

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安森美 - ONSEMI		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	536K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80 V，25 A，21 mΩ

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技术参数
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FDD86381-F085 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	1.51	雪崩能效等级（Eas）：	14 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	80 V	最大漏极电流 (ID)：	25 A
最大漏源导通电阻：	0.021 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDD86381-F085 数据手册

Typical Characteristics

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

V_GS= 10V

CURRENT LIMITED

BY SILICON

CURRENT LIMITED

BY PACKAGE

100

125

150

175

100

125

150

175

200

T_C, CASE TEMPERATURE(^oC)

Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs.

Case Temperature

Figure 1. Normalized Power Dissipation vs. Case

Temperature

DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

0.1

NOTES:

DUTY FACTOR: D = t /t

SINGLE PULSE

PEAK T = P

x Z

x R

+ T

θJA

θJA C

0.01

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

10¹

t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)

Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

10000

T_C= 25^oC

V_GS= 10V

FOR TEMPERATURES

ABOVE 25^oC DERATE PEAK

CURRENT AS FOLLOWS:

175 - T_C

I = I₂₅

1000

100

150

SINGLE PULSE

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

10¹

t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)

Figure 4. Peak Current Capability

www.onsemi.com

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与FDD86381-F085相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDD8647L	FAIRCHILD	N-Channel PowerTrench® MOSFET 40 V, 42 A, 9 m	获取价格
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