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FDD86540

更新时间： 2024-01-30 03:53:41
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
6页 247K
描述
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 50 A, 4.1 mΩ

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FDD86540 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：0.97
雪崩能效等级（Eas）：228 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：21.5 A
最大漏源导通电阻：0.0041 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：127 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDD86540 数据手册

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February 2012  
FDD86540  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
60 V, 50 A, 4.1 mΩ  
Features  
General Description  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency and to minimize switch node  
ringing of DC/DC converters using either synchronous or  
conventional switching PWM controllers.It has been optimized  
for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body  
diode reverse recovery performance.  
„ Max rDS(on) = 4.1 mΩ at VGS = 10 V, ID = 21.5 A  
„ Max rDS(on) = 5 mΩ at VGS = 8 V, ID = 19.5 A  
„ 100% UIL tested  
„ RoHS Compliant  
Applications  
„ Primary Switch in isolated DC-DC  
„ Synchronous Rectifier  
„ Load Switch  
D
D
G
G
S
D-PAK  
(TO-252)  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
60  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
±20  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
TC = 25 °C  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
50  
136  
ID  
A
(Note 1a)  
(Note 3)  
21.5  
120  
-Pulsed  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
228  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
127  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
3.1  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
0.98  
40  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDD86540  
FDD86540  
D-PAK(TO-252)  
2500 units  
1
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD86540 Rev. C  
www.fairchildsemi.com  
123456

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