Datasheet > FDD8750

FDD8750

更新时间： 2024-01-07 07:03:27

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
6页	376K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 2.7A, 40mohm

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FDD8750 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	DPAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.38
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	19 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	25 V	最大漏极电流 (ID)：	6.5 A
最大漏源导通电阻：	63 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDD8750 数据手册

December 2006

FDD8750

N-Channel PowerTrench^®MOSFET

25V, 2.7A, 40mΩ

Features

General Description

Max r_DS(on)= 40mΩ at V_GS= 10V, I_D= 2.7A

Max r_DS(on)= 60mΩ at V_GS= 4.5V, I_D= 2.7A

Low gate charge: Q_g(10)= 6nC(Typ)

Low gate resistance

This N-Channel MOSFET has been designed specifically to

improve the overall effciency of DC/DC converters using either

synchronous or conventional switching PWM controllers.It has

been optimized for low gate charge, low r_DS(on)and fast

switching speed.

Application

Avalanche rated and 100% tested

RoHS Compliant

Low current DC-DC switching

Linear regulation

D-PAK

TO-252

(TO-252)

MOSFET Maximum Ratings T_C= 25°C unless otherwise noted

Symbol

V_DS

V_GS

Parameter

Ratings

Units

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

±20

Drain Current -Continuous(Package Limited)

-Continuous(Silicon Limited)

-Continuous

T_C= 25°C

T_A= 25°C

2.7

(Note 1)

I_D

(Note 1a)

6.5

-Pulsed

E_AS

Drain-Source Avalanche Energy

Power Dissipation

(Note 3)

T_C= 25°C

P_D

Power Dissipation

(Note 1a)

3.7

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +175

°C

Thermal Characteristics

R_θJC

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

°C/W

(Note 1a)

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Package

Reel Size

13’’

Tape Width

12mm

Quantity

FDD8750

D-PAK(TO-252)

2500 units

FDD8750 Rev.C

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5 6

下载PDF

与FDD8750相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDD8770	FAIRCHILD	N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 35A, 4.0mOHM	获取价格
FDD8770	ONSEMI	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，25V，35A，4.0mΩ	获取价格
FDD8778	FAIRCHILD	N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 35A, 14mohm	获取价格
FDD8778	ONSEMI	N 沟道 PowerTrench® MOSFET 25V，35A，14mΩ	获取价格
FDD8780	FAIRCHILD	N-Channel PowerTrench? MOSFET 25V, 35A, 8.5mOhm	获取价格
FDD8780	ONSEMI	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，25V，35A，8.5mΩ	获取价格