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FDD86381-F085

更新时间： 2024-01-05 12:31:52
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 536K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80 V，25 A，21 mΩ

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FDD86381-F085 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：1.51雪崩能效等级（Eas）：14 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (ID)：25 A
最大漏源导通电阻：0.021 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD86381-F085 数据手册

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Typical Characteristics  
140  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
PULSE DURATION = 250μs  
DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
PULSE DURATION = 250μs  
DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
ID = 25A  
TJ = 175oC  
TJ = 25oC  
ID = 25A  
VGS = 10V  
4
5
6
7
8
9
10  
-80  
-40  
0
40  
80  
120  
160  
200  
TJ, JUNCTION TEMPERATURE(oC)  
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 11. RDSON vs. Gate Voltage  
Figure 12. Normalized RDSON vs. Junction  
Temperature  
1.3  
1.10  
VGS = VDS  
ID = 5mA  
I
D
= 250μA  
1.1  
0.9  
0.7  
0.5  
0.3  
1.05  
1.00  
0.95  
0.90  
-80  
-40  
0
40  
80  
120  
160  
200  
-80  
-40  
0
40  
80  
120  
160  
200  
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)  
TJ, JUNCTION TEMPERATURE(oC)  
Figure 13. Normalized Gate Threshold Voltage vs.  
Temperature  
Figure 14. Normalized Drain to Source  
Breakdown Voltage vs. Junction Temperature  
10000  
10  
ID = 25A  
VDD = 40V  
8
1000  
VDD = 48V  
Ciss  
VDD = 32V  
6
4
2
0
100  
Coss  
10  
f = 1MHz  
VGS = 0V  
Crss  
1
0.1  
1
10  
100  
0
3
6
9
12  
15  
Qg, GATE CHARGE(nC)  
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 15. Capacitance vs. Drain to Source  
Voltage  
Figure 16. Gate Charge vs. Gate to Source  
Voltage  
www.onsemi.com  
5
1...34567

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