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FDD86381-F085

更新时间： 2024-02-09 05:40:40
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 536K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80 V，25 A，21 mΩ

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FDD86381-F085 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：1.51雪崩能效等级（Eas）：14 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (ID)：25 A
最大漏源导通电阻：0.021 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD86381-F085 数据手册

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Electrical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted.  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
BVDSS  
IDSS  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Drain-to-Source Leakage Current  
Gate-to-Source Leakage Current  
ID = 250μA, VGS = 0V  
80  
-
-
-
-
-
-
1
V
V
DS= 8 0 V , T J = 25oC  
μA  
mA  
nA  
VGS = 0V  
TJ = 175oC (Note 4)  
-
1
IGSS  
VGS = ±20V  
-
±100  
On Characteristics  
VGS(th)  
RDS(on)  
Gate to Source Threshold Voltage  
Drain to Source On Resistance  
VGS = VDS, ID = 250μA  
2.0  
2.7  
4.0  
21  
45  
V
TJ = 25oC  
-
-
16.2  
34.7  
mΩ  
mΩ  
ID = 25A,  
TJ = 175oC (Note 4)  
V
GS= 10V  
Dynamic Characteristics  
Ciss  
Input Capacitance  
-
-
-
-
-
-
-
-
866  
176  
7
-
-
pF  
pF  
pF  
Ω
V
DS = 40V, VGS = 0V,  
Coss  
Crss  
Rg  
Output Capacitance  
f = 1MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
Gate Resistance  
-
VGS = 0.5V, f = 1MHz  
VGS = 0 to 10V  
2.3  
14  
1.6  
5
-
Qg(ToT)  
Qg(th)  
Qgs  
Total Gate Charge  
21  
-
nC  
nC  
nC  
nC  
VDD = 40V  
ID = 25A  
Threshold Gate Charge  
Gate-to-Source Gate Charge  
Gate-to-Drain “Miller“ Charge  
VGS = 0 to 2V  
-
Qgd  
4
-
Switching Characteristics  
ton  
td(on)  
tr  
Turn-On Time  
Turn-On Delay  
Rise Time  
-
-
-
-
-
-
-
8
25  
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
9
-
V
DD = 40V, ID = 25A,  
VGS = 10V, RGEN = 6Ω  
td(off)  
tf  
Turn-Off Delay  
Fall Time  
14  
5
-
-
toff  
Turn-Off Time  
-
28  
Drain-Source Diode Characteristics  
I
SD = 25A, VGS = 0V  
ISD = 12.5A, VGS = 0V  
DD = 64V, IF = 25A,  
dISD/dt = 100A/μs  
-
-
-
-
-
1.25  
1.2  
48  
V
VSD  
Source-to-Drain Diode Voltage  
-
V
trr  
Reverse-Recovery Time  
32  
19  
ns  
nC  
V
Qrr  
Reverse-Recovery Charge  
29  
Note:  
4: The maximum value is specified by design at T = 175°C. Product is not tested to this condition in production.  
J
www.onsemi.com  
2
1234567

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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