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FDD8780 PDF预览

FDD8780

更新时间： 2024-11-25 10:32:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 315K
描述
N-Channel PowerTrench? MOSFET 25V, 35A, 8.5mOhm

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FDD8780 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.7
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：73 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：224 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD8780 数据手册

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March 2006  
FDD8780/FDU8780  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
25V, 35A, 8.5mΩ  
General Description  
Features  
„ Max rDS(on) =8.5mΩ at VGS = 10V, ID = 35A  
„ Max rDS(on) =12.0mΩ at VGS = 4.5V, ID = 35A  
„ Low gate charge: Qg(10) = 21nC(Typ), VGS = 10V  
„ Low gate resistance  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically  
to improve the overall efficiency of DC/DC converters using  
either synchronous or conventional switching PWM  
controllers. It has been optimized for low gate charge, low  
rDS(on) and fast switching speed.  
„ Avalanche rated and 100% tested  
„ RoHS Compliant  
Application  
„ Vcore DC-DC for Desktop Computers and Servers  
„ VRM for Intermediate Bus Architecture  
D
G
D
G
S
I-PAK  
G
D S  
Short Lead I-PAK  
(TO-251AA)  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
25  
±20  
V
V
Drain Current -Continuous (Package Limited)  
-Continuous (Die Limited)  
-Pulsed  
35  
ID  
60  
A
(Note 1)  
(Note 2)  
224  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
73  
mJ  
W
PD  
50  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case TO-252,TO-251  
Thermal Resistance, Junction to Ambient TO-252,TO-251  
Thermal Resistance, Junction to Ambient TO-252,1in2 copper pad area  
3.0  
100  
52  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
FDD8780  
Device  
FDD8780  
Package  
TO-252AA  
TO-251AA  
TO-251AA  
Reel Size  
13’’  
Tape Width  
12mm  
N/A  
Quantity  
2500 units  
75 units  
FDU8780  
FDU8780  
N/A(Tube)  
N/A(Tube)  
FDU8780  
FDU8780_F071  
N/A  
75 units  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD8780/FDU8780 Rev. B  
1
www.fairchildsemi.com  
123456

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FDD8780 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD60N3LH5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO
NTD4909NT4G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET 30 V, 41 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK

与FDD8780相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDD8780-G FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDD8782 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD8782 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，25V，35A，11mΩ
FDD8796 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 25V, 35A, 5.7mO
FDD8796 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，25V，35A，5.7mΩ
FDD8796 UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:25V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
FDD8870 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD8870 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，160A，3.9mΩ
FDD8870 UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
FDD8870_08 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET

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