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FDD8874_NL

更新时间： 2024-01-05 14:46:05
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 202K
描述
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3

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FDD8874_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：LEAD FREE, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
雪崩能效等级（Eas）：240 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.0064 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：110 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD8874_NL 数据手册

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November 2004  
FDD8874 / FDU8874  
®
N-Channel PowerTrench MOSFET  
30V, 116A, 5.1mΩ  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency of DC/DC converters using  
either synchronous or conventional switching PWM  
controllers. It has been optimized for low gate charge, low  
•
•
•
r
= 5.1mΩ, V = 10V, I = 35A  
GS D  
DS(ON)  
r
= 6.4mΩ, V = 4.5V, I = 35A  
DS(ON)  
GS  
D
High performance trench technology for extremely low  
r
r
and fast switching speed.  
DS(ON)  
DS(ON)  
•
•
Low gate charge  
Applications  
High power and current handling capability  
•
DC/DC converters  
D
D
G
S
G
I-PAK  
(TO-251AA)  
D-PAK  
(TO-252)  
S
G D S  
MOSFET Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
DSS  
GS  
±20  
Drain Current  
o
116  
103  
A
A
Continuous (T = 25 C, V = 10V) (Note 1)  
C
GS  
o
I
Continuous (T = 25 C, V = 4.5V) (Note 1)  
C GS  
D
o
o
Continuous (T  
= 25 C, V = 10V, with R = 52 C/W)  
θJA  
18  
A
amb  
GS  
Pulsed  
Figure 4  
240  
A
E
P
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)  
mJ  
AS  
Power dissipation  
110  
W
D
o
o
Derate above 25 C  
0.73  
W/ C  
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
C
J
STG  
Thermal Characteristics  
o
R
R
R
Thermal Resistance Junction to Case TO-252, TO-251  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, TO-251  
1.36  
100  
52  
C/W  
θJC  
θJA  
θJA  
o
C/W  
2
o
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, 1in copper pad area  
C/W  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD8874 / FDU8874 Rev. B1  
1234567...11

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