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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDD8896
FDD8896 PDF预览

FDD8896

更新时间： 2024-11-17 22:40:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
11页 130K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDD8896 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.18
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：168 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：17 A
最大漏极电流 (ID)：17 A最大漏源导通电阻：0.068 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：80 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD8896 数据手册

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September 2004  
FDD8896 / FDU8896  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
30V, 94A, 5.7mΩ  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency of DC/DC converters using  
either synchronous or conventional switching PWM  
controllers. It has been optimized for low gate charge, low  
•
•
•
r
= 5.7mΩ, V  
= 10V, I = 35A  
DS(ON)  
GS  
GS  
D
r
= 6.8mΩ, V  
= 4.5V, I = 35A  
DS(ON)  
D
High performance trench technology for extremely low  
r
r
and fast switching speed.  
DS(ON)  
DS(ON)  
•
•
Low gate charge  
Applications  
High power and current handling capability  
•
DC/DC converters  
D
D
G
S
G
I-PAK  
(TO-251AA)  
D-PAK  
(TO-252)  
S
G D S  
MOSFET Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
V
V
DSS  
GS  
±20  
o
94  
85  
A
A
Continuous (T = 25 C, V  
= 10V) (Note 1)  
= 4.5V) (Note 1)  
= 10V, with R = 52 C/W)  
θJA  
C
GS  
GS  
o
I
Continuous (T = 25 C, V  
D
C
o
o
Continuous (T  
Pulsed  
= 25 C, V  
17  
A
amb  
GS  
Figure 4  
168  
A
E
P
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)  
Power dissipation  
mJ  
W
AS  
D
80  
o
o
Derate above 25 C  
0.53  
W/ C  
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
C
J
STG  
Thermal Characteristics  
o
R
θJC  
R
θJA  
R
θJA  
Thermal Resistance Junction to Case TO-252, TO-251  
1.88  
100  
52  
C/W  
o
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, TO-251  
C/W  
2
o
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, 1in copper pad area  
C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
FDD8896  
Device  
FDD8896  
FDU8896  
Package  
TO-252AA  
TO-251AA  
Reel Size  
13”  
Tape Width  
Quantity  
12mm  
N/A  
2500 units  
75 units  
FDU8896  
Tube  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD8896 / FDU8896 Rev. C  
1234567...11

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FDD8896 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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