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FDD8896_NF054

更新时间： 2024-11-18 21:09:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
11页 567K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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FDD8896_NF054 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：94 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.08 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
Base Number Matches：1

FDD8896_NF054 数据手册

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April 2008  
FDD8896 / FDU8896  
N-Channel PowerTrench MOSFET  
tm  
®
30V, 94A, 5.7mΩ  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency of DC/DC converters using  
either synchronous or conventional switching PWM  
controllers. It has been optimized for low gate charge, low  
•
•
•
r
= 5.7mΩ, V = 10V, I = 35A  
GS D  
DS(ON)  
r
= 6.8mΩ, V = 4.5V, I = 35A  
DS(ON)  
GS  
D
High performance trench technology for extremely low  
r
r
and fast switching speed.  
DS(ON)  
DS(ON)  
•
•
Low gate charge  
Applications  
High power and current handling capability  
•
DC/DC converters  
D
D
G
S
G
I-PAK  
(TO-251AA)  
D-PAK  
(TO-252)  
S
G D S  
MOSFET Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
DSS  
GS  
±20  
Drain Current  
o
94  
85  
A
A
Continuous (T = 25 C, V = 10V) (Note 1)  
C
GS  
o
I
Continuous (T = 25 C, V = 4.5V) (Note 1)  
C GS  
D
o
o
Continuous (T  
= 25 C, V = 10V, with R = 52 C/W)  
θJA  
17  
A
amb  
GS  
Pulsed  
Figure 4  
168  
A
E
P
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)  
Power dissipation  
mJ  
W
AS  
80  
D
o
o
Derate above 25 C  
0.53  
W/ C  
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
C
J
STG  
Thermal Characteristics  
o
R
R
R
Thermal Resistance Junction to Case TO-252, TO-251  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, TO-251  
1.88  
100  
52  
C/W  
θJC  
θJA  
θJA  
o
C/W  
2
o
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, 1in copper pad area  
C/W  
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD8896 / FDU8896 Rev. C2  
1234567...11

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与FDD8896_NF054相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDD8896_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDD8896_SBSW004 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDD8896-F085 ONSEMI

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 		30 V、94 A、4.7 mΩ、l DPAKN 沟道 PowerTrench®
FDD8N50NZTM FAIRCHILD

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 		N-Channel UniFETTM II MOSFETï€
FDD8N50NZTM ONSEMI

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 		功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，500 V，6.5 A，850 mΩ
FDD9407-F085 ONSEMI

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