是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 1.52 | 雪崩能效等级(Eas): | 40 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 50 A |
最大漏极电流 (ID): | 50 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0041 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 75 W |
参考标准: | AEC-Q101 | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 45 ns | 最大开启时间(吨): | 38 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDD9410L-F085 | ONSEMI |
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40V N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET | |
FDD9411-F085 | ONSEMI |
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40 V、25 A、6.2 mΩ、DPAKN 沟道 PowerTrench® | |
FDD9411L | ONSEMI |
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N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET | |
FDD9411L_F085 | ONSEMI |
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N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET | |
FDD9411L-F085 | ONSEMI |
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N 沟道,逻辑电平,PowerTrench® MOSFET,40 V,25 A,7.0 m | |
FDD9507L-F085 | ONSEMI |
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P-Channel POWERTRENCH® MOSFET, -40 V, -100 A, | |
FDD9509L-F085 | ONSEMI |
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P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-40 V,-100 A,4.4 mΩ | |
FDD9510L-F085 | ONSEMI |
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P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-40 V,-50 A,13.5 mΩ | |
FDD9511L-F085 | ONSEMI |
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P 沟道,PowerTrench? MOSFET,-40 V,-25 A,21 mΩ | |
FDDL100 | ETC |
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Logic IC |