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FDD6682

更新时间： 2024-11-29 22:40:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 122K
描述
30V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDD6682 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DPAK
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.18
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：240 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.0062 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：71 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDD6682 数据手册

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June 2004  
FDD6682/FDU6682  
30V N-Channel PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
low gate charge, low RDS( ON) and fast switching speed.  
·
75 A, 30 V  
RDS(ON) = 6.2 mW @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 8.0 mW @ VGS = 4.5 V  
·
·
·
Low gate charge  
Fast switching  
Applications  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
·
·
DC/DC converter  
Motor Drives  
D
D
G
S
I-PAK  
(TO-251AA)  
G
D-PAK  
(TO-252)  
G D S  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
30  
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±20  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 3)  
(Note 1a)  
(Note 1)  
75  
100  
A
PD  
W
Power Dissipation for Single Operation  
71  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
3.8  
1.6  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +175  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.1  
40  
96  
RqJC  
RqJA  
RqJA  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
FDD6682  
FDU6682  
Package  
Reel Size  
13’’  
Tape width  
Quantity  
FDD6682  
D-PAK (TO-252)  
I-PAK (TO-251)  
12mm  
N/A  
2500 units  
75  
FDU6682  
Tube  
FDD6682/FDU6682 Rev H(W)  
Ó2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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FDD6682 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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