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FDD6692_NL

更新时间： 2024-09-15 20:47:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 82K
描述
Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

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FDD6692_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.37
雪崩能效等级（Eas）：165 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：54 A最大漏极电流 (ID)：54 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：57 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：162 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDD6692_NL 数据手册

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April 2001  
FDD6692/FDU6692  
30V N-Channel PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
low gate charge, low RDS( ON) and fast switching speed.  
• 54 A, 30 V.  
RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 14.5 mΩ @ VGS = 4.5 V  
• Low gate charge (18 nC typical)  
• Fast switching  
Applications  
• High performance trench technology for extremely  
• DC/DC converter  
• Motor drives  
low RDS(ON)  
D
D
G
I-PAK  
(TO-251AA)  
G
S
D-PAK  
(TO-252)  
G D S  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
30  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±16  
54  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 3)  
(Note 1a)  
(Note 1)  
162  
PD  
W
Power Dissipation for Single Operation  
57  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
3.8  
1.6  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +175  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.6  
40  
96  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
FDD6692  
FDU6692  
Package  
Reel Size  
13’’  
Tape width  
Quantity  
FDD6692  
D-PAK (TO-252)  
I-PAK (TO-251)  
12mm  
N/A  
2500 units  
75  
FDU6692  
Tube  
FDD/FDU6692 Rev C(W)  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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与FDD6692_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDD6696 FAIRCHILD

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