FDD6796A

更新时间： 2024-11-18 06:59:07

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
N-Channel PowerTrench® MOSFET 25 V, 5.7 mΩ

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FDD6796A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DPAK
包装说明：	ROHS COMPLIANT, DPAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.33
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	40 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	25 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	67 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.0057 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	42 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDD6796A 数据手册

March 2009

FDD6796A / FDU6796A_F071

N-Channel PowerTrench^®MOSFET

25 V, 5.7 mΩ

Features

General Description

This N-Channel MOSFET has been designed specifically to

improve the overall efficiency of DC/DC converters using either

synchronous or conventional switching PWM controllers. It has

been optimized for low gate charge, low r_DS(on)and fast

switching speed.

Max r_DS(on)= 5.7 mΩ at V_GS= 10 V, I_D= 20 A

Max r_DS(on)= 15.0 mΩ at V_GS= 4.5 V, I_D= 15.2 A

100% UIL tested

RoHS Compliant

Applications

Vcore DC-DC for Desktop Computers and Servers

VRM for Intermediate Bus Architecture

Short-Lead I-PAK

(TO-251AA)

D-PAK

(TO-252)

MOSFET Maximum Ratings T_C= 25 °C unless otherwise noted

Symbol

V_DS

V_GS

Parameter

Ratings

Units

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

±20

Drain Current -Continuous (Package limited)

-Continuous (Silicon limited)

-Continuous

T_C= 25 °C

_C= 25 °C

I_D

T_A= 25 °C

(Note 1a)

(Note 3)

(Note 1a)

150

-Pulsed

E_AS

Single Pulse Avalanche Energy

Power Dissipation

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

P_D

Power Dissipation

3.7

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +175

°C

Thermal Characteristics

R_θJC

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

3.6

°C/W

(Note 1a)

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

FDD6796A

Device

Package

D-PAK (TO-252)

TO-251AA

Reel Size

Tape Width

Quantity

FDD6796A

13 ’’

12 mm

N/A

2500 units

75 units

FDU6796A

FDU6796A_F071

N/A(Tube)

FDD6796A / FDU6796A_F071 Rev.C1

www.fairchildsemi.com

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDD6796	FAIRCHILD	类似代替	N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 25 V, 40 A, 5.7

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FDD6N20TF	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel MOSFET
FDD6N20TM	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel MOSFET
FDD6N20TM	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，200V，4.5A，800mΩ，DPAK
FDD6N25	FAIRCHILD	获取价格	250V N-Channel MOSFET
FDD6N25TF	FAIRCHILD	获取价格	250V N-Channel MOSFET
FDD6N25TM	FAIRCHILD	获取价格	250V N-Channel MOSFET
FDD6N25TM	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，250 V，4.4 A，1.1 Ω，DPA
FDD6N50	FAIRCHILD	获取价格	500V N-Channel MOSFET
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