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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDD6N50TM_WS
FDD6N50TM_WS PDF预览

FDD6N50TM_WS

更新时间： 2024-11-21 13:01:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 845K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3/2

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FDD6N50TM_WS 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3/2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：7.89
雪崩能效等级（Eas）：270 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.9 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：89 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDD6N50TM_WS 数据手册

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January 2006  
TM  
UniFET  
FDD6N50/FDU6N50  
500V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
6A, 500V, RDS(on) = 0.9Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 12.8 nC)  
Low Crss ( typical 9 pF)  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar  
stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche  
and commutation mode. These devices are well suited for high  
efficient switched mode power supplies and active power factor  
correction.  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
D
G
I-PAK  
FDU Series  
D-PAK  
FDD Series  
G
S
G D S  
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FDD6N50/FDU6N50  
Unit  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
500  
V
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
6
3.8  
A
A
(Note 1)  
(Note 2)  
IDM  
Drain Current  
- Pulsed  
24  
±30  
270  
6
A
V
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
8.9  
4.5  
mJ  
V/ns  
Power Dissipation  
(TC = 25°C)  
89  
W
- Derate above 25°C  
0.71  
W/°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
°C  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max.  
1.4  
Unit  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
--  
83  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD6N50/FDU6N50 REV. A  
1
www.fairchildsemi.com  
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FDD6N50TM_WS 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDD6N50TM FAIRCHILD

类似代替

 500V N-Channel MOSFET
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功能相似

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