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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDD7030BL
FDD7030BL PDF预览

FDD7030BL

更新时间： 2024-11-20 22:40:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 127K
描述
30V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDD7030BL 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DPAK
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.41
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：174 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 A
最大漏极电流 (ID)：14 A最大漏源导通电阻：0.0095 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：60 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDD7030BL 数据手册

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June 2003  
FDD7030BL/FDU7030BL  
30V N-Channel PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
low gate charge, low RDS( ON) , fast switching speed and  
extremely low RDS(ON) in a small package.  
·
56 A, 30 V  
RDS(ON) = 9.5 mW @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 13 mW @ VGS = 4.5 V  
·
·
·
Low gate charge  
Fast Switching  
Applications  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
·
·
DC/DC converter  
Motor Drives  
D
D
G
S
I-PAK  
(TO-251AA)  
G
D-PAK  
(TO-252)  
G D S  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
30  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current @TC=25°C  
@TA=25°C  
±20  
ID  
(Note 3)  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
(Note 3)  
56  
14  
100  
Pulsed  
PD  
W
Power Dissipation  
@TC=25°C  
@TA=25°C  
@TA=25°C  
60  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.8  
1.3  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +175  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.5  
45  
96  
RqJC  
RqJA  
RqJA  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13’’  
Tape width  
Quantity  
FDD7030BL  
FDD7030BL  
FDU7030BL  
D-PAK (TO-252)  
I-PAK (TO-251)  
12mm  
N/A  
2500 units  
75  
FDU7030BL  
Tube  
FDD7030BL/FDU7030BL Rev CW)  
Ó2003 Fairchild Semiconductor Corp.  
123456

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FDD7030BL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDD8880 FAIRCHILD

类似代替

 N-Channel PowerTrench MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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FDD7N20 FAIRCHILD

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FDD7N20LZ FAIRCHILD

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FDD7N20TM FAIRCHILD

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 		N-Channel MOSFET
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FDD7N25LZ FAIRCHILD

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 		功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，250 V，6.2A，550mΩ，DPAK

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