是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-252AA |
包装说明: | LEAD FREE, D2PAK-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.17 |
雪崩能效等级(Eas): | 53 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (ID): | 35 A | 最大漏源导通电阻: | 0.015 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 湿度敏感等级: | NOT SPECIFIED |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | COMMERCIAL | 表面贴装: | YES |
端子面层: | NOT SPECIFIED | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
FDD8880_08 | FAIRCHILD | N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 58A, 9mヘ |
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FDD8880_NL | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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FDD8882 | FAIRCHILD | N-Channel PowerTrench MOSFET |
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FDD8882 | ONSEMI | N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,55A,11.5mΩ |
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FDD8882_08 | FAIRCHILD | N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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FDD8882_NL | FAIRCHILD | N-Channel PowerTrench MOSFET |
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