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FDD8880

更新时间： 2024-11-17 22:40:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
11页 127K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDD8880 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.14
雪崩能效等级（Eas）：53 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：13 A最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.015 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：55 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDD8880 数据手册

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September 2004  
FDD8880  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
30V, 58A, 9mΩ  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency of DC/DC converters using  
either synchronous or conventional switching PWM  
controllers. It has been optimized for low gate charge, low  
•
•
•
r
= 9mΩ, V  
= 10V, I = 35A  
DS(ON)  
GS  
D
r
= 12mΩ, V  
= 4.5V, I = 35A  
DS(ON)  
GS  
D
High performance trench technology for extremely low  
r
and fast switching speed.  
DS(ON)  
r
DS(ON)  
•
•
Low gate charge  
Applications  
High power and current handling capability  
•
DC/DC converters  
D
D
G
S
G
D-PAK  
(TO-252)  
S
MOSFET Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
V
V
DSS  
GS  
±20  
o
58  
51  
A
A
Continuous (T = 25 C, V  
= 10V) (Note 1)  
= 4.5V) (Note 1)  
= 10V, with R  
C
GS  
GS  
o
I
Continuous (T = 25 C, V  
D
C
o
o
Continuous (T  
Pulsed  
= 25 C, V  
= 52 C/W)  
13  
A
amb  
GS  
θJA  
Figure 4  
53  
A
E
P
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)  
Power dissipation  
mJ  
W
AS  
D
55  
o
o
Derate above 25 C  
0.37  
W/ C  
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
C
J
STG  
Thermal Characteristics  
o
R
θJC  
R
θJA  
R
θJA  
Thermal Resistance Junction to Case TO-252  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252  
2.73  
100  
52  
C/W  
o
C/W  
2
o
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, 1in copper pad area  
C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
Tape Width  
12mm  
Quantity  
2500 units  
FDD8880  
FDD8880  
TO-252AA  
13”  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD8880 Rev. B1  
1234567...11

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FDD8880 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDD7030BL FAIRCHILD

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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FDD8882 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD8882 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，55A，11.5mΩ
FDD8882_08 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDD8882_NL FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD8896 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD8896 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET， 30V，94A，4.7mΩ
FDD8896 UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
FDD8896_08 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET

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