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FDD7N25LZ

更新时间： 2024-11-18 19:56:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 323K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 250V, 0.57ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, DPAK-3

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FDD7N25LZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-252AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.73
雪崩能效等级（Eas）：115 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (ID)：6.2 A最大漏源导通电阻：0.57 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：25 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDD7N25LZ 数据手册

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March 2013  
FDD7N25LZ  
TM  
N-Channel UniFET MOSFET  
250 V, 6.2 A, 550 m  
Features  
Description  
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s high voltage  
MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology.  
This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to  
provide better switching performance and higher avalanche  
energy strength. This device family is suitable for switching  
power converter applications such as power factor correction  
(PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic  
lamp ballasts.  
•
•
•
•
•
•
•
RDS(on) = 430 m(Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 3.1 A  
Low Gate Charge (Typ.12 nC)  
Low Crss (Typ. 8 pF)  
100% Avalanche Tested  
Improved dv/dt Capability  
ESD Improved Capability  
RoHS Compliant  
Applications  
•
•
•
•
•
LCD/LED/PDP TV  
Consumer Appliances  
Lighting  
Uninterruptible Power Supply  
AC-DC Power Supply  
D
D
G
G
D-PAK  
S
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted*  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
FDD7N20LZ  
Unit  
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
250  
±20  
V
- Continuous (TC = 25oC)  
- Continuous (TC = 100oC)  
- Pulsed  
6.2  
ID  
Drain Current  
A
3.7  
IDM  
Drain Current  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
25  
A
mJ  
A
EAS  
IAR  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
115  
5.5  
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
5.6  
mJ  
V/ns  
W
W/oC  
oC  
10  
(TC = 25oC)  
- Derate above 25oC  
56  
PD  
Power Dissipation  
0.45  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
300  
oC  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Unit  
FDD7N20LZ  
RJC  
RJA  
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max.  
2.2  
oC/W  
110  
1
©2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD7N25LZ Rev. C0  
www.fairchildsemi.com  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDD7N25LZTM FAIRCHILD

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 		N-Channel UniFET MOSFET
FDD7N25LZTM ONSEMI

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 		功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，250 V，6.2A，550mΩ，DPAK
FDD7N60NZ FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor
FDD7N60NZ_10 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel MOSFET 600V, 5.5A, 1.25
FDD7N60NZTM ONSEMI

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FDD7N60NZTM FAIRCHILD

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FDD8424H ONSEMI

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FDD8424H FAIRCHILD

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 		Dual N & P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDD8424H_11 FAIRCHILD

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FDD8424H_F085 FAIRCHILD

获取价格

 		40V Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET. (Transferred to alternate site

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