是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | DPAK |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, TO-252AB, DPAK-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.69 |
雪崩能效等级(Eas): | 62.5 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5 A | 最大漏极电流 (ID): | 5 A |
最大漏源导通电阻: | 0.69 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252AA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 43 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 15 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FQD7N20TM | FAIRCHILD |
类似代替 |
200V N-Channel QFET®, TO252 (D-PAK), MOLDED, 3 LEAD,OPTION AA&AB, 2500/TAPE RE | |
2SK216 | RENESAS |
功能相似 |
Silicon N Channel MOS FET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDD7N25LZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 250V, 0.57ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDD7N25LZTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UniFET MOSFET | |
FDD7N25LZTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,250 V,6.2A,550mΩ,DPAK | |
FDD7N60NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor | |
FDD7N60NZ_10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 600V, 5.5A, 1.25ï | |
FDD7N60NZTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM II,600 V,5.5 A,1.25 Ω | |
FDD7N60NZTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDD8424H | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 和 P 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V | |
FDD8424H | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N & P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET | |
FDD8424H_11 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET N-Cha |