是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-252AA | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.29 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | FAST SWITCHING |
雪崩能效等级(Eas): | 45 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 250 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4.4 A | 最大漏极电流 (ID): | 4.4 A |
最大漏源导通电阻: | 1.1 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252AA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 50 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 18 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDD6N25TM | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET | |
FDD6N25TM | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,250 V,4.4 A,1.1 Ω,DPA | |
FDD6N50 | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET | |
FDD6N50F | FAIRCHILD |
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N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ | |
FDD6N50FTF | FAIRCHILD |
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N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ | |
FDD6N50FTM | FAIRCHILD |
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N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ | |
FDD6N50FTM | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,FRFET®,500 V,5.5 A,1. | |
FDD6N50TF | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET | |
FDD6N50TM | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,500 V,6 A,900 mΩ,DPAK | |
FDD6N50TM | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET |