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FDD6688S

更新时间： 2024-11-19 22:40:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 182K
描述
30V N-Channel PowerTrench SyncFET

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FDD6688S 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：88 A最大漏极电流 (ID)：88 A
最大漏源导通电阻：0.0051 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：69 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD6688S 数据手册

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May 2004  
FDD6688S  
30V N-Channel PowerTrench SyncFET™  
General Description  
Features  
The FDD6688S is designed to replace a single TO-252  
MOSFET and Schottky diode in synchronous DC:DC  
power supplies. This 30V MOSFET is designed to  
maximize power conversion efficiency, providing a low  
RDS(ON) and low gate charge. The FDD6688S includes  
an integrated Schottky diode using Fairchild’s  
monolithic SyncFET technology.  
• 88 A, 30 V.  
RDS(ON) = 5.1 mΩ @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 6.3 mΩ @ VGS = 4.5 V  
• Low gate charge (31 nC typical)  
• Fast switching  
Applications  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
• DC/DC converter  
• Motor Drives  
D
D
G
G
S
D-PAK  
(TO-252)  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
30  
V
VGSS  
Gate-Source Voltage  
± 20  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 3)  
(Note 1a)  
(Note 1)  
88  
100  
69  
A
PD  
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
3.1  
1.3  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.8  
40  
96  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
Tape width  
12mm  
Quantity  
2500 units  
FDD6688S  
FDD6688S  
D-PAK (TO-252)  
13’’  
FDD6688 Rev C (W)  
2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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