是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-252 | 包装说明: | TO-252, 3 PIN |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.36 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 11 A |
最大漏极电流 (ID): | 11 A | 最大漏源导通电阻: | 0.02 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 52 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 100 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDD6688 | FAIRCHILD |
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30V N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDD6688 | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET,30V,84A,5mΩ | |
FDD6688_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FDD6688S | FAIRCHILD |
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30V N-Channel PowerTrench SyncFET | |
FDD6690 | FAIRCHILD |
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N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET | |
FDD6690A | FAIRCHILD |
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30V N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDD6690A | ONSEMI |
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30V N沟道PowerTrench® MOSFET | |
FDD6690A_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDD6690S | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-252AA | |
FDD6692 | FAIRCHILD |
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30V N-Channel PowerTrench MOSFET |