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STD60N3LH5

更新时间: 2024-01-31 01:06:14
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
16页 388K
描述
N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO-220 STripFET™ V Power MOSFET

STD60N3LH5 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-252包装说明:ROHS COMPLIANT, DPAK-3
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:7.99
Is Samacsys:N其他特性:ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas):160 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):48 A最大漏极电流 (ID):48 A
最大漏源导通电阻:0.0114 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):192 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

STD60N3LH5 数据手册

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STD60N3LH5  
STP60N3LH5, STU60N3LH5  
N-channel 30 V, 0.0072 , 48 A DPAK, IPAK, TO-220  
STripFET™ V Power MOSFET  
Features  
Type  
VDSS  
RDS(on) max  
ID  
STD60N3LH5  
STP60N3LH5  
STU60N3LH5  
30 V  
30 V  
30 V  
0.008 Ω  
0.0084 Ω  
0.0084 Ω  
48 A  
48 A  
48 A  
3
2
1
TO-220  
R  
* Q industry benchmark  
g
DS(on)  
3
Extremely low on-resistance R  
3
DS(on)  
2
1
1
Very low switching gate charge  
High avalanche ruggedness  
Low gate drive power losses  
DPAK  
IPAK  
Application  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Switching applications  
Description  
This STripFET™V Power MOSFET technology is  
among the latest improvements, which have been  
especially tailored to achieve very low on-state  
resistance providing also one of the best-in-class  
FOM.  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
DPAK  
Packaging  
STD60N3LH5  
STP60N3LH5  
STU60N3LH5  
60N3LH5  
60N3LH5  
60N3LH5  
Tape and reel  
Tube  
TO-220  
IPAK  
Tube  
April 2009  
Doc ID 14079 Rev 3  
1/16  
www.st.com  
16  

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