5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDD8874
FDD8874 PDF预览

FDD8874

更新时间： 2024-02-02 14:23:21
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
11页 133K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 116A

阅读下载

获取价格

FDD8874 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：LEAD FREE, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
雪崩能效等级（Eas）：240 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.0064 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：110 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD8874 数据手册

 浏览型号FDD8874的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDD8874的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDD8874的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDD8874的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDD8874的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDD8874的Datasheet PDF文件第7页 
September 2004  
FDD8874 / FDU8874  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
30V, 116A, 5.1mΩ  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency of DC/DC converters using  
either synchronous or conventional switching PWM  
controllers. It has been optimized for low gate charge, low  
•
•
•
r
= 5.1mΩ, V  
= 10V, I = 35A  
DS(ON)  
GS  
GS  
D
r
= 6.4mΩ, V  
= 4.5V, I = 35A  
DS(ON)  
D
High performance trench technology for extremely low  
r
and fast switching speed.  
DS(ON)  
r
DS(ON)  
•
•
Low gate charge  
Applications  
High power and current handling capability  
•
DC/DC converters  
D
D
G
S
I-PAK  
(TO-251AA)  
G
D-PAK  
(TO-252)  
S
G D S  
MOSFET Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
V
V
DSS  
GS  
±20  
o
116  
103  
A
A
Continuous (T = 25 C, V  
= 10V) (Note 1)  
= 4.5V) (Note 1)  
= 10V, with R = 52 C/W)  
θJA  
C
GS  
GS  
o
I
Continuous (T = 25 C, V  
D
C
o
o
Continuous (T  
Pulsed  
= 25 C, V  
18  
A
amb  
GS  
Figure 4  
240  
A
E
P
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)  
Power dissipation  
mJ  
W
AS  
D
110  
o
o
Derate above 25 C  
0.73  
W/ C  
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
C
J
STG  
Thermal Characteristics  
o
R
θJC  
R
θJA  
R
θJA  
Thermal Resistance Junction to Case TO-252, TO-251  
1.36  
100  
52  
C/W  
o
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, TO-251  
C/W  
2
o
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, 1in copper pad area  
C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
FDD8874  
Device  
FDD8874  
FDU8874  
Package  
TO-252AA  
TO-251AA  
Reel Size  
13”  
Tape Width  
Quantity  
12mm  
N/A  
2500 units  
75 units  
FDU8874  
Tube  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD8874 / FDU8874 Rev. B  
1234567...11

下载PDF

与FDD8874相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
FDD8874_08 FAIRCHILD N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 116A, 5.1m ohm

获取价格
FDD8874_NL FAIRCHILD Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

获取价格
FDD8876 FAIRCHILD N-Channel PowerTrench MOSFET

获取价格
FDD8876 ONSEMI N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，73A，8.2mΩ

获取价格
FDD8876_08 FAIRCHILD N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET

获取价格
FDD8876_NL FAIRCHILD Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

获取价格

与FDD8874相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证