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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 26 weeks | 风险等级： | 0.94 |
| Samacsys Confidence： | 4 | Samacsys Status： | Released |
| 2D Presentation： | https://componentsearchengine.com/2D/0T/167027.5.5.png | Schematic Symbol： | https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=167027 |
| PCB Footprint： | https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=167027 | 3D View： | https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=167027 |
| Samacsys PartID： | 167027 | Samacsys Image： | https://componentsearchengine.com/Images/9/FDD8647L.jpg |
| Samacsys Thumbnail Image： | https://componentsearchengine.com/Thumbnails/5/FDD8647L.jpg | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category： | Other |
| Samacsys Footprint Name： | FDD8647L-1 | Samacsys Released Date： | 2015-07-12 18:27:54 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 33 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 52 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14 A | 最大漏源导通电阻： | 0.009 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 43 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FDD86540 | FAIRCHILD | N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 50 A, 4. |
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| FDD86540 | ONSEMI | N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60V，136 A，4.1 mΩ |
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| FDD86567-F085 | ONSEMI | 60 V、100 A、2.6 mΩ、DPAKN 沟道 PowerTrench® |
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|
| FDD86569 | ONSEMI | Power Field-Effect Transistor |
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| FDD86569-F085 | ONSEMI | N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60 V，90 A，5.7 mΩ |
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| FDD86580-F085 | ONSEMI | 60 V N 沟道 PowerTrench® MOSFET |
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