是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | DPAK-3/2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 26 weeks | 风险等级: | 0.96 |
Samacsys Confidence: | 4 | Samacsys Status: | Released |
Samacsys PartID: | 1312670 | Samacsys Pin Count: | 3 |
Samacsys Part Category: | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category: | Other |
Samacsys Footprint Name: | DPAK3 (TO?252 3 LD) CASE 369AS ISSUE O_3 | Samacsys Released Date: | 2019-07-30 17:56:38 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 12 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5.5 A |
最大漏极电流 (ID): | 4.2 A | 最大漏源导通电阻: | 0.104 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 29 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 15 A |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDD86250 | FAIRCHILD |
获取价格 |
FDD86250 N-Channel Shielded Gate PowerTrench | |
FDD86250 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,150 V,51 A,22 m | |
FDD86250-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,15 V,50 A,22 mΩ | |
FDD86252 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 150 V,27 A,52 mΩ | |
FDD86252 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150 V, 27 A, 5 | |
FDD86326 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,80 V,37 A,23 mΩ | |
FDD86326 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 80 V, 37 A, 23 m Ohm | |
FDD86367 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 80 V,100 A,4.2 mΩ | |
FDD86367-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 80V,100A,4.2 mΩ, | |
FDD86369 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,90A,7.9mΩ |