5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | DPAK |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.71 |
| Samacsys Description： | FDD86252 N-Channel MOSFET, 42 A, 150 V PowerTrench, 3-Pin DPAK ON Semiconductor | 雪崩能效等级（Eas）： | 72 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 42 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.052 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 89 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 25 A |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPD530N15N3GATMA1 | INFINEON |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDD86326 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80 V，37 A，23 mΩ |
|
| FDD86326 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 80 V, 37 A, 23 m Ohm |
|
| FDD86367 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 80 V，100 A，4.2 mΩ |
|
| FDD86367-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 80V，100A，4.2 mΩ， |
|
| FDD86369 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，90A，7.9mΩ |
|
| FDD86369-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80 V，90 A，7.9 mΩ |
|
| FDD86380-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80 V，50 A，13.5 mΩ |
|
| FDD86381-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80 V，25 A，21 mΩ |
|
| FDD8647L | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40 V, 42 A, 9 m |
|
| FDD8647L | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，42A，9mΩ |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
