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FDD86250

更新时间： 2024-10-02 12:29:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体栅极晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 315K
描述
FDD86250 N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 150 V, 50 A, 22 mΩ

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FDD86250 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.65
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：180 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：51 A
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.022 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：132 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDD86250 数据手册

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May 2013  
FDD86250  
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET  
150 V, 50 A, 22 mΩ  
Features  
General Description  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor‘s advanced PowerTrench® process that  
incorporates Shielded Gate technology. This process has been  
optimized for the on-state resistance and yet maintain superior  
switching performance.  
„ Shielded Gate MOSFET Technology  
„ Max rDS(on) = 22 mΩ at VGS = 10 V, ID = 8 A  
„ Max rDS(on) = 31 mΩ at VGS = 6 V, ID = 6.5 A  
„ 100% UIL tested  
Application  
„ RoHS Compliant  
„ DC - DC Conversion  
D
D
G
S
G
D-PAK  
(TO-252)  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Continuous  
150  
V
V
±20  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
50  
ID  
(Note 1a)  
(Note 3)  
8
40  
A
-Pulsed  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
180  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
132  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
3.1  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
0.94  
40  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDD86250  
FDD86250  
D-PAK(TO-252)  
2500 units  
©2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD86250 Rev.C1  
1
www.fairchildsemi.com  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDD86250-F085 ONSEMI

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 		N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，15 V，50 A，22 mΩ
FDD86252 ONSEMI

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