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FDD86110

更新时间： 2024-11-21 11:59:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 257K
描述
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 50 A, 10.2 mΩ

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FDD86110 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：4.45
雪崩能效等级（Eas）：135 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：12.5 A
最大漏源导通电阻：0.0102 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：127 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDD86110 数据手册

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October 2011  
FDD86110  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
100 V, 50 A, 10.2 mΩ  
Features  
General Description  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has  
been especially tailored to minimize the on-state resistance and  
yet maintain superior switching performance.  
„ Max rDS(on) = 10.2 mΩ at VGS = 10 V, ID = 12.5 A  
„ Max rDS(on) = 16 mΩ at VGS = 6 V, ID = 9.8 A  
„ 100% UIL tested  
„ RoHS Compliant  
Application  
„ DC - DC Conversion  
D
D
G
G
S
D-PAK  
(TO-252)  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
100  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
±20  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
TC = 25 °C  
C = 25 °C  
50  
T
80  
ID  
A
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
(Note 3)  
12.5  
60  
-Pulsed  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
135  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
127  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
3.1  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
0.98  
40  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDD86110  
FDD86110  
D-PAK(TO-252)  
2500 units  
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD86110 Rev.C  
1
www.fairchildsemi.com  
123456

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