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FDD86113LZ

更新时间： 2024-10-02 12:47:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体栅极晶体管开关脉冲PC
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6页 244K
描述
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100 V, 5.5 A, 104 mΩ

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FDD86113LZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK-3/2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.72
Samacsys Description：FDD86113LZ N-Channel MOSFET, 5.5 A, 100 V PowerTrench, 3-Pin DPAK ON Semiconductor雪崩能效等级（Eas）：12 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.5 A
最大漏极电流 (ID)：4.2 A最大漏源导通电阻：0.104 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：29 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：15 A
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD86113LZ 数据手册

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June 2013  
FDD86113LZ  
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET  
100 V, 5.5 A, 104 mΩ  
Features  
General Description  
„ Shielded Gate MOSFET Technology  
This N-Channel logic Level MOSFETs are produced using  
Fairchild Semiconductor‘s advanced PowerTrench® process  
that incorporates Shielded Gate technology. This process has  
been optimized for the on-state resistance and yet maintain  
superior switching performance. G-S zener has been added to  
enhance ESD voltage level.  
„ Max rDS(on) = 104 mΩ at VGS = 10 V, ID = 4.2 A  
„ Max rDS(on) = 156 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 3.4 A  
„ HBM ESD protection level > 6 kV typical (Note 4)  
„ High performance trench technology for extremely low rDS(on)  
Application  
„ DC-DC conversion  
„ High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package  
„ 100% UIL Tested  
„ RoHS Compliant  
D
D
G
G
S
D-PAK  
(TO-252)  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
100  
V
V
±20  
Drain Current  
-Continuous  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
5.5  
ID  
-Continuous  
-Pulsed  
(Note 1a)  
(Note 3)  
4.2  
A
15  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
12  
29  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
3.1  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1)  
4.3  
96  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDD86113LZ  
FDD86113LZ  
D-PAK(TO-252)  
2500 units  
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD86113LZ Rev. C1  
1
www.fairchildsemi.com  
123456

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